Mosfet siêu nối 700v

Super Junction MOSFET 700V (SJ MOSFET 700V)‌ là công nghệ đặc biệt của

Transistor hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại. Nó được thiết kế để giải quyết các

vấn đề là điện trở của MOSFET truyền thống tăng lên khi định mức

điện áp tăng lên. Đối với MOSFET 700V SJ, công nghệ này đặc biệt phù hợp

cho các ứng dụng

đòi hỏi điện áp cao và tổn thất thấp. Ví dụ, trong các ứng dụng cấu trúc liên kết flyback,

dòng 700V SJ MOSFET mang lại hiệu suất tăng lên tới 4% và nhiệt độ thiết bị

giảm tới 16 độ. So với công nghệ 650V trước đây, hiệu quả

tăng 2,4% và nhiệt độ thiết bị giảm 12 độ. Nhắm mục tiêu vào

thị trường năng lượng thấp như bộ sạc điện thoại di động và bộ chuyển đổi máy tính xách tay, đèn LED

chiếu sáng, thiết bị giải trí gia đình và nguồn điện phụ trợ, công nghệ này

mang lại lợi thế cạnh tranh về chi phí với tổn thất chuyển mạch thấp, khả năng tản nhiệt tuyệt vời

hiệu suất và khả năng chuyển đổi tốc độ cao.
Ngoài ra, việc tối ưu hóa MOSFET SJ còn bao gồm những tiến bộ trong quy trình

công nghệ, chẳng hạn như công nghệ khắc rãnh sâu và hiện thực hóa điện tích

phù hợp, giúp cải thiện đáng kể hiệu suất và độ tin cậy của SJ MOSFET.

Ví dụ, công nghệ chuyển tiếp thế hệ thứ hai của Versine (SJ II) đã được cải tiến

hiệu suất thiết bị (Ron*A) tăng khoảng 30% so với thế hệ đầu tiên

công nghệ, thể hiện sức cạnh tranh mạnh mẽ.

            Sau đây là phần giới thiệu sản phẩm của WMF05N70MM, các thông số mô hình khác, vui lòng liên hệ với chúng tôi.

Chú phổ biến: mosfet 700v siêu nối, nhà sản xuất, nhà cung cấp, nhà máy sản xuất mosfet siêu nối 700v tại Trung Quốc